12月2日上午，晶湛半導(dǎo)體總部大樓建設(shè)項目奠基儀式在蘇州納米城舉行。園區(qū)黨工委副書記、管委會主任林小明，園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾出席活動。

晶湛半導(dǎo)體致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領(lǐng)域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，是園區(qū)自主培育、國內(nèi)首屈一指的第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料領(lǐng)軍企業(yè)。自2012年成立后，公司于2014年便率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片。十多年來，公司堅持加大研發(fā)投入、持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新，目前已與全球數(shù)百家知名半導(dǎo)體科技企業(yè)、高校科研院所建立緊密合作關(guān)系，榮獲各級組織獎勵數(shù)十項，多次在行業(yè)頂級期刊Nature、國際頂級會議IEDM上發(fā)布創(chuàng)新成果，申請專利近400項，授權(quán)近百項。今年9月，晶湛全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片，其核心技術(shù)填補(bǔ)了國內(nèi)空白，贏得了業(yè)內(nèi)廣泛關(guān)注。

據(jù)悉，晶湛半導(dǎo)體總部大樓位于納米城E地塊，百川街西，南蕩田巷北，廠房占地面積10999.92平方米，總建筑面積23443.27平方米。建成后，將成為國內(nèi)規(guī)模最大的GaN電力電子材料、射頻材料和微顯示材料的生產(chǎn)基地。

2006年，園區(qū)就搶抓機(jī)遇前瞻布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。經(jīng)“十年磨一劍”精耕細(xì)作，園區(qū)引進(jìn)了中科院蘇州納米所等一批“國字號”科研院所，集聚了全國80%的氮化鎵國家級重點人才，參與了全國60%的氮化鎵國家標(biāo)準(zhǔn)制定，突破了一系列“卡脖子”技術(shù)，已成為國內(nèi)最具影響力的第三代半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)高地。今年3月，園區(qū)獲批建設(shè)國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心，為進(jìn)一步聚力創(chuàng)新、推進(jìn)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展增添了強(qiáng)大動力。